К методологии определения тензосопротивления n-Ge и n-Sі в кристаллографических направлениях ⟨110⟩

1Гайдар, ГП
1Інститут ядерних досліджень НАН України, Київ
Dopov. Nac. akad. nauk Ukr. 2019, 5:66-74
https://doi.org/10.15407/dopovidi2019.05.067
Раздел: Физика
Язык: Украинский
Аннотация: 

В рамках теории анизотропного рассеяния для многодолинных полупроводников n-Ge и n-Sі получены полезные для практического применения выражения, которые позволяют рассчитывать значения тензо- сопротивления в насыщении для кристаллографических направлений, где этот эффект незначительный, по результатам измерений тензосопротивления в других кристаллографических направлениях, где указанный эффект значительный по величине.

Ключевые слова: германий, кремний, параметр анизотропии подвижности, тензосопротивление