Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si

1Гайдар, ГП
2Баранський, ПІ
1Інститут ядерних досліджень НАН України, Київ
2Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ
Dopov. Nac. akad. nauk Ukr. 2017, 5:45-50
https://doi.org/10.15407/dopovidi2017.05.045
Розділ: Фізика
Мова: Українська
Анотація: 
При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у \[M=\alpha_{II}^{Ф}/\alpha_{\perp}^{Ф}\] у широкому інтервалі концентрацій \[(1,9 \cdot 10^{12}\leq n^{e} \equiv N_{1}\leq 4,6 \cdot 10^{17} см^{-3})\] Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій \[\sim10^{15} см^{-3}\].
Ключові слова: германій, концентрація домішок, кремній, параметр анізотропії термо-ЕРС