До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках ⟨110⟩

1Гайдар, ГП
1Інститут ядерних досліджень НАН України, Київ
Dopov. Nac. akad. nauk Ukr. 2019, 5:66-74
https://doi.org/10.15407/dopovidi2019.05.067
Розділ: Фізика
Мова: Українська
Анотація: 

У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною.

Ключові слова: германій, кремній, параметр анізотропії рухливості, тензоопір