Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe

1Цибрій, ЗФ
1Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ
Dopov. Nac. akad. nauk Ukr. 2019, 9:34-40
https://doi.org/10.15407/dopovidi2019.09.034
Розділ: Фізика
Мова: Українська
Анотація: 

Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію металів (адгезивний шар — струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольт-амперні характеристики контактів Mo—Au і Mo—In до епітаксійних шарів р-CdHgTe демонструють лінійний характер як при кімнатній температурі, так і при Т = 80 К.

Ключові слова: ІЧ та ТГц детектор, багатошаровий контакт, кадмій—ртуть—телур