При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у \[M=\alpha_{II}^{Ф}/\alpha_{\perp}^{Ф}\] у широкому інтервалі концентрацій \[(1,9 \cdot 10^{12}\leq n^{e} \equiv N_{1}\leq 4,6 \cdot 10^{17} см^{-3})\] Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій \[\sim10^{15} см^{-3}\].