Заголовок | Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів |
Тип публікації | Journal Article |
Рік публікації | 2018 |
Автори | Гайдар, ГП |
Abbreviated Key Title | Dopov. Nac. akad. nauk Ukr. |
DOI | 10.15407/dopovidi2018.06.058 |
Номер видання | 6 |
Розділ | Фізика |
Нумерація сторінок | 58-66 |
Дата публікації | 6/2018 |
Мова | Українська |
Анотація | Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського. |
Ключові слова | германій, домішка миш'яку, концентрація носіїв заряду, мікроструктура, рухливість носіїв заряду, сильне легування, термічні відпали |