Випадкове блукання з поверненням в одновимірному ланцюжку Христофоров ЛМ. Випадкове блукання з поверненням в одновимірному ланцюжку. 2020 ;(8):43-50.
Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки 1Гайдар ГП. Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки. 2020 ;(5):42-51.
Виділення характеристичних параметрів електроенцефалографічного сигналу для задачі бінарної класифікації епілептичних станів Гайдар ВО, Судаков ОО. Виділення характеристичних параметрів електроенцефалографічного сигналу для задачі бінарної класифікації епілептичних станів. 2020 ;(4):53-56.
Методики чисельного моделювання ІЧ-випромінювання газотурбінних двигунів для оцінки можливостей зниження помітності літальних апаратів Мележик ЄО, 1Сизов ФФ, Шевчук ОВ, Гуменюк-Сичевська ЖВ. Методики чисельного моделювання ІЧ-випромінювання газотурбінних двигунів для оцінки можливостей зниження помітності літальних апаратів. 2020 ;(4):43-52.
Солітон в одновимірному силовому ланцюжку з герцівськими контактами Герасимов ОІ, Співак АЯ. Солітон в одновимірному силовому ланцюжку з герцівськими контактами. 2020 ;(3):36-46.
Матеріали, які блокують інфрачервоне випромінювання 1Цибрій ЗФ, 1Сизов ФФ, Голенков ОГ. Матеріали, які блокують інфрачервоне випромінювання. 2020 ;(2):24-28.
Люмінесценція гідроксилапатиту кальцію при рентгенівському опроміненні Дорошенко ІЮ, Подуст ГП, Дегода ВЯ. Люмінесценція гідроксилапатиту кальцію при рентгенівському опроміненні. 2020 ;(1):49-53.
Квазіімпульс елементарного збудження для системи точкових бозонів з нульовими межовими умовами Томченко МД. Квазіімпульс елементарного збудження для системи точкових бозонів з нульовими межовими умовами. 2019 ;(12):49-56.
Квантово-хімічне моделювання низькотемпературної аргонової матриці з вбудованими кластерами води Васильєва AO, Дорошенко ІЮ, 1Булавін ЛА. Квантово-хімічне моделювання низькотемпературної аргонової матриці з вбудованими кластерами води. 2019 ;(10):43-48.
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe 1Цибрій ЗФ. Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe. 2019 ;(9):34-40.
