Фізика

Теорема Пойа і міграція та захоплення квантової частинки

Загородній АГ, Христофоров ЛМ. Теорема Пойа і міграція та захоплення квантової частинки. 2016 ;(11):44-51.

Динамічні нестійкості на зарядженій границі: вплив масопереносу

¹Гічан ОІ. Динамічні нестійкості на зарядженій границі: вплив масопереносу. 2016 ;(10):47-53.

Дослідження пасивної модуляції добротності ІАГ:Nd лазера з затворами на основі забарвлених поліуретанових матриць

Безродний ВІ, Негрійко АМ, Косянчук ЛФ. Дослідження пасивної модуляції добротності ІАГ:Nd лазера з затворами на основі забарвлених поліуретанових матриць. 2016 ;(9):61-68.

Вплив від’єднання субстрату на кінетику ферментативного каталізу

Христофоров ЛМ. Вплив від’єднання субстрату на кінетику ферментативного каталізу. 2019 ;(1):40-46.

Ближнє акустичне поле кругової апертури, утвореної зрiзом вершини напiвнескiнченного конуса

Лисечко ВО, Куриляк ДБ. Ближнє акустичне поле кругової апертури, утвореної зрiзом вершини напiвнескiнченного конуса. 2016 ;(8):63-69.

Швидкiсть та поглинання звуку в розчинi нiтробензол––n-гексан поблизу критичної температури розшарування

Булавiн ЛА, Бiлоус ОI, Свечнiкова ОС. Швидкiсть та поглинання звуку в розчинi нiтробензол––n-гексан поблизу критичної температури розшарування. 2016 ;(8):53-62.

Вплив iзовалентної домiшки Ge i термовiдпалiв на електрофiзичнi властивостi кристалiв кремнiю

Гайдар ГП, Баранський ПI. Вплив iзовалентної домiшки Ge i термовiдпалiв на електрофiзичнi властивостi кристалiв кремнiю. 2016 ;(7):62-69.

Змiна ентропiї рiдинної системи пiд дiєю радiацiйного опромiнення

Булавiн ЛА, Гаврюшенко ДА, Тарадiй КВ. Змiна ентропiї рiдинної системи пiд дiєю радiацiйного опромiнення. 2016 ;(6):56-64.

Точне розв’язання системи нестандартних в’язких рівнянь Кана—Хілліарда

Мчедлов-Петросян ПО, Давидов ЛМ. Точне розв’язання системи нестандартних в’язких рівнянь Кана—Хілліарда. 2017 ;(7):37-42.

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si

¹Гайдар ГП, ²Баранський ПІ. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si. 2017 ;(5):45-50.

Сторінки